多晶硅冷氢化PID工艺流程图CAD图

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此图纸是多晶硅冷氢化PID工艺流程图CAD图，图纸可采用CAD2009版及以上版本打开。冷氢化：tcs+硅粉+氢气反应成三氯氢硅，转化率在20%左右，但是硅粉的加入是间歇性的，所以导致生产也是间歇性的，冷氢化的温度控制在500℃左右，但是操作压力为2mpa,耗电量较热氢化低3kwh/kg。